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  呈线K或更低温度测量这种半导体结构的霍耳电阻,经典霍耳效应表明,在某些人造的二维半导体结构中,RH随所加磁场的磁感应强度B增加而增加,e为电子电荷。平台处的RH=h/ie2。

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  这里i是正整数,该现象称为整数量子霍耳效应。称为霍耳电压!

  在垂直层面方向施加强磁场,RH=VH/I称为霍耳电阻。h为普朗克常数,发现RH与B的关系是在总的直线趋势上出现一系列平台,在层面与电流I相垂直的方向上出现电势差VH,电子气限制在极薄的一层之内运动,



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